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KRI考夫曼射頻離子源 RFICP220 濺射沉積MoN薄膜

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最后更新: 2023-07-17 10:16
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MoN薄膜是一種具有潛在應用價值的薄膜材料, 但對于其結(jié)構(gòu)和性能的研究還較少因此,廣州某研究機構(gòu)采用KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220  304 不銹鋼基體表面濺射沉積 MoN薄膜, 系統(tǒng)研究了 MoN 薄膜在不同摩擦條件下的摩擦磨損行為.

 

伯東 KRI 射頻離子源 RFICP220 技術(shù)參數(shù):

離子源型號

RFICP220

Discharge

RFICP 射頻

離子束流

>800 mA

離子動能

100-1200 V

柵極直徑

20 cm Φ

離子束

聚焦,  平行,  散射

流量

10-40 sccm

通氣

Ar,  Kr,  Xe,  O2,  N2,  H2,  其他

典型壓力

< 0.5m Torr

長度

30 cm

直徑

41 cm

中和器

LFN 2000

可選燈絲中和器可變長度的增量

KRI 射頻離子源 RFICP 220

 

結(jié)果表明:

偏壓顯著影響直流磁控沉積的 MoN 薄膜的晶相結(jié)構(gòu)、表面形貌、斷面結(jié)構(gòu)、硬度和摩擦磨損性能;隨脈沖偏壓的增大, MoN 薄膜的膜厚、硬度都**增大后減小, 而薄膜的磨損率卻**減小后增大, 其中 -500 V 脈沖偏壓下沉積的 MoN 薄膜具有**高硬度為 7731 N/mm~2, 以及**低的磨損率為 5.8×10~(-7)mm~3/(N·m).  此外, MoN 薄膜在不同載荷和轉(zhuǎn)速的摩擦條件下表現(xiàn)出不同的摩擦學行為.
 

KRI 離子源的**特功能實現(xiàn)了更好的性能增強的可靠性和新穎的材料工藝. KRI 離子源已經(jīng)獲得了理想的薄膜和表面特性而這些特性在不使用 KRI 離子源技術(shù)的情況下是無法實現(xiàn)的.

 

因此該研究項目才采用 KRI 考夫曼射頻離子源 RFCIP220 輔助濺射沉積工藝.

 

伯東是德國 Pfeiffer 真空泵,  檢漏儀,  質(zhì)譜儀,  真空計,  美國 KRI 考夫曼離子源,  美國HVA 真空閥門,  美國 inTEST 高低溫沖擊測試機,  美國 Ambrell 感應加熱設(shè)備和日本 NS 離子蝕刻機等進口知名品**的指定代理商.

 

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