KRI 射頻離子源 RFICP 100
上海伯東代理美國原裝進(jìn)口 KRI 考夫曼型離子源 RFICP 100 緊湊設(shè)計(jì), 適用于離子濺鍍和離子蝕刻. 小尺寸設(shè)計(jì)但是可以輸出 >400 mA 離子流. 考夫曼型離子源 RFICP 100 源直徑19cm 安裝在10”CF 法蘭, 在離子濺鍍時(shí), 離子源配有離子光學(xué)元件, 可以很好的控制離子束去濺射靶材, 實(shí)現(xiàn)更佳的薄膜特性. 在離子刻蝕工藝中, 離子源與離子光學(xué)配合, 蝕刻更均勻. 標(biāo)準(zhǔn)配置下 RFICP 100 離子能量范圍 100 至 1200ev, 離子電流可以達(dá)到 400 mA.
KRI 射頻離子源 RFICP 100 技術(shù)參數(shù)
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陽極
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電感耦合等離子體
射頻自動(dòng)匹配
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**大陽極功率
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600W
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**大離子束流
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> 300mA
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電壓范圍
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100-1200V
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離子束動(dòng)能
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100-1200eV
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氣體
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Ar, O2, N2,其他
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流量
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5-20 sccm
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壓力
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< 0.5mTorr
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離子光學(xué), 自對(duì)準(zhǔn)
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OptiBeamTM
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離子束柵極
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10cm Φ
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柵極材質(zhì)
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鉬, 石墨
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離子束流形狀
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平行,聚焦,散射
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中和器
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LFN 2000
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高度
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23.5 cm
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直徑
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19.1 cm
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鎖緊安裝法蘭
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10”CF
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KRI 射頻離子源 RFICP 100 應(yīng)用**域
預(yù)清洗
表面改性
輔助鍍膜(光學(xué)鍍膜) IBAD,
濺鍍和蒸發(fā)鍍膜 PC
離子濺射沉積和多層結(jié)構(gòu) IBSD
離子蝕刻 IBE
客戶案例: 超高真空離子刻蝕機(jī) IBE, 真空度 5E-10 torr, 系統(tǒng)配置如下
美國 KRI 射頻離子源 RFICP 100
美國 HVA 真空閘閥
德國 Pfeiffer 分子泵 HiPace 2300
1978 年 Dr. Kaufman 博士在美國創(chuàng)立 Kaufman & Robinson, Inc 公司, 研發(fā)生產(chǎn)考夫曼離子源, 霍爾離子源和射頻離子源. 美國考夫曼離子源歷經(jīng) 40 年改良及發(fā)展已取得多項(xiàng)專利. 離子源廣泛用于離子清洗 PC, 離子蝕刻 IBE, 輔助鍍膜 IBAD, 離子濺射鍍膜 IBSD **域, 上海伯東是美國考夫曼離子源中國總代理.
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